询问：有谁做过磁控溅射方式来镀光学薄膜方面的研究吗？
询问：有谁做过磁控溅射方式来镀光学薄膜方面的研究吗？希望交流一下。 磁控溅射以前主要是应用在大面积镀膜，现在高端光学膜方面也逐步应用了比起蒸发还是有很多优点的 磁控溅射主要优点是稳定，再现性非常好，但相对于蒸发镀膜也有很多缺点，第一是维修和保养，每清扫一次机器就要相对于3台蒸发镀膜机的工作量和人手。第二是面精度，现在镀膜要求的面精度越来越严格，但磁控溅射镀出来的面精度比蒸发镀膜差多了。 原帖由 zheng 于 2008-6-13 19:39 发表 static/image/common/back.gif
磁控溅射主要优点是稳定，再现性非常好，但相对于蒸发镀膜也有很多缺点，第一是维修和保养，每清扫一次机器就要相对于3台蒸发镀膜机的工作量和人手。第二是面精度，现在镀膜要求的面精度越来越严格，但磁控溅射镀出来 ...
请问楼上是用什么磁控溅射镀膜机？ Shincron RAS 还是Leybold helios那种？
磁控溅射和蒸发镀的维护保养频率大致会差别多少？您所说的“每清扫一次机器就要相对于3台蒸发镀膜机的工作量和人手”是在什么情况下得到如此结论？
面精度差，主要是对什么形状的基片来说的？
个人感觉磁控溅射的优势之一可能是体现在产能大方面，这样成本可能更小，以及薄膜质量方面；毕竟磁控溅射制备光学薄膜也是趋势之一。
[ 本帖最后由 xbimr 于 2008-6-16 09:45 编辑 ] 这要看做什么薄膜，不是所有的薄膜都用溅射合适。最近，听说光洁度不好的原因是硅靶造成的，解决的方法得从硅靶着手考虑。LEYBOLD的溅射比较适合做WAFER的东西吧，镀膜有效面积也不大啊。 非常多层时候 比蒸发好。 原帖由 wazxq 于 2008-6-24 23:29 发表 static/image/common/back.gif
非常多层时候 比蒸发好。
喔？为何是非常多层是，磁控溅射有利呢？
反应磁控溅射的氧分压控制是个比较麻烦的问题，通常有等离子体光谱反馈控制、阴极电压反馈控制和氧分压直接控制，哪位能对这三种方法，或其它方法做个点评。 原帖由 AppliedThinFilm 于 2008-6-25 00:12 发表 static/image/common/back.gif
喔？为何是非常多层是，磁控溅射有利呢？
反应磁控溅射的氧分压控制是个比较麻烦的问题，通常有等离子体光谱反馈控制、阴极电压反馈控制和氧分压直接控制，哪位能对这三种方法，或其它方法做个点评。
谈谈个人观点：
反应溅射的优点主要体现在：A 采用便宜的金属靶材，B 便宜的直流或直流脉冲电源，而不是射频电源，C 以及高的沉积速率，提高产能；D 方便调薄膜的化学计量比。
但反应溅射的确过程控制是一大难点，主要体现在两方面：一方面随溅射过程进行，靶面刻蚀形貌改变，相应的电压、电流、功率会有所改变，导致了等离子状态会产生漂移，这需要从阴极以及电源控制上想解决方面； 另一个方面，反应溅射过程中，过渡状态区域，本身是一个本征非稳定过程，目前主要采用闭环方式控制解决这个问题：
关于闭环反馈方式：又大致分几种方式：如等离子体光谱反馈PEM反馈，电压反馈，和氧分压反馈、背景残余气体反馈等等。
PEM反馈：优点点是反应速度快，可以多点检测和控制，适用膜系广；缺点就是对控制器数据处理能力的要求高，因而成本较贵。
靶电压反馈：优点技术简单，成本便宜，缺点是只适用少数几个压降变化显著的膜系，比如氧化硅、氧化铝等；此外，反馈信息是整个靶面的信息，解决均匀性方面无良策。
此外，也有氧分压反馈（主要为莱宝光学采用）、背景气体反馈等，现在的一个趋势是，反应溅射过程精确控制较难，在要求高的情况下，可以采用几种方式同时监控反馈，以达到更佳的稳定状态，这个主要取决于工艺要求和成本预算之间的权衡。
纯属个人观点，以供参考。
具体关于反应溅射控制模型方面的理论资料，可以参考查阅瑞典乌普萨拉大学berg教授在80年代所做的经典文献或模型。
我这里有一份一家公司的溅射设备资料，由于容量太大，不能发到论坛上来。如果你们的邮箱可以接收15MW以上的附件，请给我发邮件，我会直接给你们发资料。huweiqian2006@163.com
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能否给我发一份。先谢过了:)E-mail: anihcir@hotmail.com