Semiconductor Substrate LiAlO2
<p><font face="Times New Roman"><strong><table cellspacing="0" cellpadding="0" border="1"><tbody><tr><td valign="top" width="284"><p>结构 </p><p></p><p></p></td><td valign="top" width="284"><p>四方<br/>a=5.17Å<br/>c=6.26Å </p><p></p><p></p></td></tr><tr><td valign="top" width="284"><p>熔点<br/>(℃) </p><p></p><p></p></td><td valign="top" width="284"><p>1780 </p><p></p><p></p></td></tr><tr><td valign="top" width="284"><p>密度<br/>(g/cm3) </p><p></p><p></p></td><td valign="top" width="284"><p>2.62 </p><p></p><p></p></td></tr><tr><td valign="top" width="284"><p>对GaN晶格<br/>失配率 </p><p></p><p></p></td><td valign="top" width="284"><p>1.4%at100ori. </p><p></p><p></p></td></tr><tr><td valign="top" width="284"><p>热膨胀系数<br/>(×10<sup>-6</sup>/K) </p><p></p><p></p></td><td valign="top" width="284"><p>:17.68 </p><p></p><p></p><p>:10.55 </p><p></p><p></p></td></tr><tr><td valign="top" width="284"><p>生长方法<br/>及最大尺寸 </p><p></p><p></p></td><td valign="top" width="284"><p>提拉法<br/>φ2inch </p><p></p><p></p></td></tr><tr><td valign="top" width="284"><p>标准尺寸 </p><p></p><p></p></td><td valign="top" width="284"><p>2inch×0.35 </p><p></p><p></p><p>or 0.45<br/>1 or 2 sides epi polished </p><p></p><p></p></td></tr></tbody></table></strong></font></p><p><font size="5">需要的与我联系</font><br/><br/></p>
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