结构 四方a=5.17Åc=6.26Å 熔点(℃) 1780 密度(g/cm3) 2.62 对GaN晶格失配率 1.4%at100ori. 热膨胀系数(×10-6/K) [001]:17.68 [100]:10.55 生长方法及最大尺寸 提拉法φ2inch 标准尺寸 2inch×0.35 or 0.451 or 2 sides epi polished
结构
四方a=5.17Åc=6.26Å
熔点(℃)
1780
密度(g/cm3)
2.62
对GaN晶格失配率
1.4%at100ori.
热膨胀系数(×10-6/K)
[001]:17.68
[100]:10.55
生长方法及最大尺寸
提拉法φ2inch
标准尺寸
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发表于 2006-8-11 23:31:00
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