氟化镁MgF2-耐摩擦性问题!
大家好,请问大家AR膜最外层氟化镁不耐摩擦测试是什么原因?目前基片加热至290度,蒸发速率5A/s,蒸发时真空在-4Pa级别,无离子源辅助。
成品脱膜测试通过,但在耐磨测试中不合格,用纱布摩擦表面会有痕迹。
大家有没有碰到过这个情况?请问应该如何解决?
不考虑其他因素,要快速蒸发才牢。
gb936 发表于 2015-9-6 18:33
不考虑其他因素,要快速蒸发才牢。
谢谢,请问5A/s算慢还是快?
士官长 发表于 2015-9-6 19:10 static/image/common/back.gif
谢谢,请问5A/s算慢还是快?
没有工艺?
多层镀都不低于30--50A/s,单层还要高
30-50A/s?
我记得氟化镁一般就是10A/s以下的速度? 设计中除了MgF2还有什么材料?考虑不同材料间应力和附着力影响 gb936 发表于 2015-9-7 07:38
没有工艺?
多层镀都不低于30--50A/s,单层还要高
什么镀膜设备,速率30-50A/S ,太牛了吧 诸葛流星 发表于 2015-10-7 09:10
设计中除了MgF2还有什么材料?考虑不同材料间应力和附着力影响
两种材料:HfO2和MgF2
30~50?好吓人啊 哪个波段的,换个材料试试 请问耐磨性不好的主要原因是薄膜硬度还是粗糙度?
烘烤250-300度左右氟化镁的硬度应该很好呀。 没有高手吗?
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