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Sputter真空镀膜机结合力问题

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发表于 2009-2-8 14:51:47 | 显示全部楼层 |阅读模式
各位大虾: 最近发现一个奇怪的问题,我们公司的真空镀膜机镀出来的铜膜结合力有所下降。为了增加铜与有机物的结合力我们采用铜与有机物中间镀一层钛增加其结合力,之前可以达到6N而现在只有4N 找了几天原因了没有找到 是不是成膜温度有关?还是其他原因? 镀膜结合力与什么参数关系最大? 请指点 谢谢
发表于 2009-2-9 08:05:42 | 显示全部楼层
这可不好说
不同的设备\工艺\设计的影响是不同的
发表于 2009-2-9 08:32:22 | 显示全部楼层
试一下氮化钛?
个人意见
发表于 2009-2-9 09:23:35 | 显示全部楼层
请说明 溅射机大致配置 大致工艺条件 和具体基片情况,别人才能分析。因为影响的因素太多了。不过通常有机基片,进行等离子体清洗是有利于提高结合力的。也可以和我联系:bob.zhang@vacprotek.com
 楼主| 发表于 2009-7-6 14:33:37 | 显示全部楼层
首先感谢,溅射机器分为7个腔室Loading chamber  Degassing Chamber  Cooling Chamber 1   Pre-treatment Chamber  Me-deposition process chamber  Cooling Chamber 2  Unloading chamber 换靶时发现靶材上面有很多晶体颗粒,是否有关?  溅射之前是有等离子蚀刻机进行清洗的,怀疑跟材料有关,换一种材料就OK了,成膜温度不能太高,最大控制在160摄氏度,还有没有其他方法增加结合力的?
发表于 2009-7-6 14:48:35 | 显示全部楼层
有可能是CU靶的问题
这个比较简单,先排除
发表于 2009-8-9 16:52:11 | 显示全部楼层
只能看看,帮不上忙
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