高重频(1--200KHz)电光Q开关驱动源

高科技

高重频电光Q开关驱动源

性能参数：

脉冲上升时间        ＜10ns

脉冲宽度             1us

脉冲高压            1kv－6kv（可选）

重复频率            1－200kHz （可调）

供电                  24±2v（DC）或220v(AC)

触发方式           内外触发均可  

寿命                 ＞10000小时

BBO电光Q开关

封装尺寸   φ25×45

1／4电压    3500V@1064

能关断1064nm100W

自然冷却

[ 本帖最后由 高科技 于 2008-11-2 14:19 编辑 ]

ruinan

能到100k吗？？？


50k的一套价格多少啊、？？？？包括bbo晶体

高科技

1.6WRMB.100KHz也能生产，但价格要高些。需要可电话联系13981700438

wwwcai

原帖由 高科技 于 2008-7-18 15:58 发表
1.6WRMB.100KHz也能生产，但价格要高些。需要可电话联系13981700438

100kHz, 脉冲宽度可不可调，10ns～1us？

再也不能这样

原帖由 高科技 于 2008-7-18 15:58 发表
1.6WRMB.100KHz也能生产，但价格要高些。需要可电话联系13981700438

除了频率高外，你们的bbo电光Q开关与传统的KD*P或LN等EO q-switch相比有什么优缺点？

robinhand413

l        高消光比           >1000:1

l        波前畸变           <λ/10

l        低电容，上升时间短 ～2pF

l        高透过率           >98.5%

l        高损伤阈值              >850MW/cm2

l        无静态双折射

l        无热弥散效应

l        高重复频率300kHz未出现压电振铃效应

l        无光折变损伤

l        镀增透膜的保护性石英窗口

l        防静电损伤和具有散热特性的氧化合金铝外壳

l        耐高压和具有优良散热特性的的陶瓷内芯

l        无任何封胶或粘合剂

    BBO电光Q开关因其独特的物理特性和优异的光学品质而广泛使用于高脉冲功率、高重复频率、窄脉宽激光系统。

目前市场上所能获得的BBO晶体具有优异的光学质量，其消光比 >2000:1（使用632nm He-Ne激光测量），波前畸变 <λ/10 @632.8nm。

BBO晶体的应用波段范围为190-3300nm；QSB系列BBO 电光Q开关使用经过高抗损伤膜的窗口片后，在300-2000nm波段内，透过率 >98.5%。

BBO 电光Q开关电容小，约为2pF，因而上升时间短，一般 <300ps。在调Q时所产生的脉冲激光脉宽窄，一般 <300ps。

与市场化的电光晶体相比，BBO晶体具有最高的损伤阈值，在脉宽10ns，波长为1064nm，重复频率 1 Hz的激光下，损伤阈值 >850MW/cm2。

    BBO晶体为单轴晶体，因此在较大的温度变化范围内BBO 电光Q开关不会出现静态双折射现象。

    BBO电光Q开关热性能稳定，热弥散效应小；在相同功率下使用，与目前市场化的电光晶体相比， BBO电光Q开关因温度变化引起的半波电压以及折射率变化最小。BBO晶体不同于LiNbO3晶体，不存在光折变损伤。

BBO 电光Q开关在重复频率为300kHz使用时，未出现压电振铃效应。

BBO电光Q开关为横向加压使用，可以通过改变BBO晶体纵长比减小其半波电压，以达到期望的半波电压要求。

QSB系列BBO 电光Q开关基于工业化的实际应用，除外观表面处理达到国际标准要求外，在考虑其安全性应用的同时，外壳采用防静电损伤和具有散热特性的氧化合金铝，内芯采用具有优良散热特性且耐高压的陶瓷；还增加了镀增透膜的保护性窗口设计，以提高器件的使用寿命；不仅如此，QSB系列BBO电光Q开关在装配过程中，不使用任何封胶或粘合剂，因而在使用过程中，不会出现对器件和整个激光器系统的污染性影响。

QSB系列BBO电光Q开关与四川九斗星光电有限公司的电光Q开关驱动源组成电光Q开关系统，在1064nm DPSS，重复频率为50KHz时，，可长时间稳定运行。

[ 本帖最后由 robinhand413 于 2008-7-23 15:45 编辑 ]

再也不能这样

谢谢robinhand413。
既然BBO的EO系统有如此多优点，那为什么到现在才在市场上出现呢？BBO的eo之前不能普及的原因是什么？

高科技

和电源有关，高压高重频。

再也不能这样

原帖由 高科技 于 2008-7-22 18:38 发表
和电源有关，高压高重频。

那么说来瓶颈是在驱动器方面了？是不是意味着你们的驱动器也能驱动常用的KD*P/LN/CdTe等EO开关？
BBO用的是横向加压，似乎记得横向加压比纵向问题多些？BBO用作EO晶体的缺点在哪里？
顺便再问一下，你们的bbo EO的通常孔径是多少？

[ 本帖最后由 再也不能这样 于 2008-7-22 18:47 编辑 ]

uvlaser

BBO的孔径很小，一般的调Q激光器都用不上

laser.f

原帖由 uvlaser 于 2008-7-23 13:44 发表
BBO的孔径很小，一般的调Q激光器都用不上

大概有多小？

uvlaser

通光口径最大不超过4mm