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发表于 2008-7-7 14:14:15
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这个是所谓的热丝化学气相沉积方法HFCVD方法(HFCVD也是制备DLC的一主流方法),或者说是一种离子源也可以,只是不是常规的离子源,以等离子体分解苯C6H6,直接 沉积出DLC, 这种方法的SP3键应该在30-60%左右。 这种方法在磁盘工艺上有使用,另一种是RF射频离子源。
还有一种离子源就是阳极层离子源和 RF射频等离子体源沉积也都可以直接沉积出DLC;阳极层离子源的优点是便宜些,但是能量范围较广,RF射频离子源沉积,缺点是价格比较昂贵,但是可以集中控制能量,因为从薄膜工艺的角度来说,做DLC希望的离子能量量级在100-200ev。
这三种方法沉积出来的DLC,由于使用碳氢气体分解直接沉积所得,必然是含氢DLC薄膜。
PS:需要用阳极层离子源和RF射频等离子体源做DLC方面的同志可以联系我,合适我可以提供技术参考和支持。
[ 本帖最后由 xbimr 于 2008-7-7 14:22 编辑 ] |
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