镀AR時，製程溫度約80度C可行嗎？

victorrose · 发表于 2008-5-20 19:21:03

tio2+sio2+tio2+sio2+tio2+sio2

zzzz · 发表于 2008-5-21 10:27:30

为啥不用TA?
基板是什么材料的?
层数太多?不能减少吗?

victorrose · 发表于 2008-5-27 10:44:14

TA 适合用来做AR?
基材为玻璃
层数不能减
谢谢您

liyazhou · 发表于 2008-5-27 10:44:49

蒸镀什么材料有些材料可以冷镀呀...............................

zzzz · 发表于 2008-5-27 13:06:36

我的TA是指TA2O5了.
啥特殊要求啊?胶合件吧?
否则TI和玻璃的结合挺好的
先找找玻璃清洁方面的原因.

optin · 发表于 2008-5-27 13:51:59

离子源可能没有用好，能否将你们离子源的使用过程描述描述

APS1104 · 发表于 2008-6-1 16:42:10

tio2+sio2+tio2+sio2+tio2+sio2 并使用IAD，我觉得不可能用3M测试胶带一黏就掉膜.镀膜工艺存在问题,你基片清洗得干净吗?
你离子源参数都设置了哪些?

jhxxmlhk · 发表于 2008-6-1 17:08:22

我晕死，你那种工艺没问题，3M测试不会脱膜的。看镀前清洁度怎么样？不会是DP返油了吧？
鄙视MgF2的人是错误的，慢慢你们就会知道了。

warstorm · 发表于 2008-6-11 09:24:02

所有膜都掉了？？是不是和基底的结合度不高啊，
能不能预镀一层sio2

liwenjuanlwj · 发表于 2008-6-11 10:04:37

脱膜应该不会吧，我想是TI的折射率做不高

snebur · 发表于 2008-6-11 22:34:50

需要不需要加个过渡层？

guangang · 发表于 2008-6-13 10:17:07

用的啥离子源？如果用RF源的话，膜层也不至于这么差吧？

提高附着力