2007-5-22 06:09:00 | 显示全部楼层 | 阅读模式

我用MOCVD 生长了InP/InGaAsP/InP BH结构,然后用LPE方法在上面生长一InGaAsP层作为顶层以合金之用。然后大面积Zn扩散,清洗后在上面镀一层SiO2 膜,再进行光刻,刻蚀一斜沟,偏离角度大约为5度,深度只是去掉SiO2 。最后做电极合金。结果解理后测管芯功率显示3uW ,无光。测试电流为20mA。 请问为什么? 谢谢。

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2007-5-28 22:22:00

上帝说: 要有光,于是便有了光.

_____创世纪

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