Ta2O5薄膜的溅射（求助）

hanxing

我是个新手，请大家帮忙。谢谢！

我用直流磁控反应溅射的方法制备Ta2O5薄膜，Ar：O2=4：1，在1.0Pa时起辉，电流、电压可以分别控制在

0.15A、500V；当降低气压至0.6Pa开始制膜，电压就会超过1000V（超过了量程），电流降到0.05A以下，而且得到

薄膜平整度较低（300nm，RMS=1.2nm）。

以前设备状态好的时候，在0.6Pa的气压下，电流、电压可以分别控制在0.15A、700V，薄膜平整度较好（300nm，

RMS=0.3nm）。

这种问题怎样解决阿？

zzzz

工艺参数是否被改动了?

设备是否处于正常状态?

dinghaiyi

应该用射频溅射比较好吧

acer_wu

你用的什么型号，那个公司的机器啊，资料过来看看。镀的什么东东。我开看看，在给你答案。e-mail:acer_wu@hotmail.com.

caodahua

hanxing,我可以通你交流吗?我的MSN:caodahua@hotmail.com;QQ:36496431