这个指标已经很低了
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学习中。。。。
使用材料:H=Ta2O5和L=SiO2,控制波長550nm,膜系初始結構為H3L(高折射材料一個極值,低折射率材料3個極值),然後使用軟件優化(基板材料為BK7,光纖頭的材料需要查一下,實際設計應使用此材料設計),得到結果為:G/0.92H 3.7L/A,即可得到1550nm單點AR的膜系設計,實際加工需要試驗,另外,我手頭上沒有此方面的資料,論文要寫的漂亮一點還需要寫一些理論方面的東西,你自己去網上找找看,再請教論壇上的高手!
老GUAN你好,我也是初学者,我想问一下,上面资料的内容,在(H=TA205和L=SI02)中H是指英文中的高吗,L是英文中的低吗?楼主说的R小于2% ,那么R在这里代表什么呢,多谢了
还可以用非规整膜系。。。
理论上可以达到0反射
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