关于测试薄膜光学常数的一个关键问题

yh15430 · 2004-2-18 03:44:00

若有测量反射率装置不如测量反射率来的简洁，至于光吸收可用避免之。

michaelzhj · 2004-2-18 05:35:00

透射率不应该只是二者量的加和吧。

jet · 2004-2-18 17:00:00

SI片的透射范围为1-9um，而用它来作8-11.5um，得考虑晶片本身的吸收。在做模拟计算时，晶片和镀膜材料的折射率和消光系数都要考虑在内。你镀的是什么材料？若愿意提供更详细的数据，我可以邦你算一算。

michaelzhj · 2004-2-18 17:06:00

谢谢jet的大力支持，我深表感动。
我镀的是的AlN薄膜
所谓的模拟计算，具体指什么

chugqchugq · 2004-2-18 22:49:00

硅片在8-12um可以不抛光测，和抛光测透过没区别，原因是散射和波长的4次方分之一成正比，红外波长很长，散射极小。硅片在此波段吸收较大，且和波长有关，用透射法得不出折射率。建议用测反射的办法。

michaelzhj · 2004-2-18 23:34:00

这位长春的朋友，只有极微小异质体（异质体线度比入射光波长小很多）产生的散射，其散射强度才是与入射光的波长有关的，即散射强度与光波波长的四次方成反比，这就是瑞利散射定律。但这是Si片，应该说散射不是那么大吧，我还在继续考证。

shrek · 2004-2-19 00:02:00

略表拙见：
对于背面未抛光的Si片来说，散射损失可能较大，能否采用楼上所指点的差动方式来测量反射率，进而表征薄膜的光学特性呢？

michaelzhj · 2004-2-19 00:37:00

差动方式？如何差动

michaelzhj · 2004-2-20 00:23:00

大家帮帮我啊

chugqchugq · 2004-2-20 22:35:00

我在做Ge和ZnSe片增透时，为节省时间，有时在未抛光的基片做实验，测量时和抛光的相差很小。

michaelzhj · 2004-2-22 22:20:00

我找到了一家双面抛光的Si片生产商
021-57843676
找顾先生
信誉很好

shrek · 2004-2-24 18:30:00

差动，即先测量基底的反射率，再测量一下基底和薄膜总的反射率，利用这两者的差值来实现对基底的表征，这样也许可以略去背面没抛光的影响。
如还没找到更好的办法，可以试一下