论h4充氧对膜系影响?

qaxx · 发表于 2003-11-24 03:29:00

[30][这个贴子最后由qaxx在 2003/11/23 07:35pm 第 1 次编辑]

充氧大一点小一点,对膜系影响不大,一般充氧在12以上至30为好。

chugqchugq · 发表于 2003-11-24 16:44:00

充氧12以上至30是什么意思？

Jesus · 发表于 2003-11-24 19:03:00

晕，应该是sccm吧
楼主大哥，拜托下次题目别起那么大，论h4充氧对膜系影响?　　
结果只一句话，虽说是涉及工艺，可能值钱。
但既然是论，怎么着也得把原因及原理，可能的影响说清楚吧。
纯属个人意见，楼主见谅

yeye · 发表于 2003-11-28 03:28:00

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晕

315 · 发表于 2003-11-28 20:09:00

ssssss

chugqchugq · 发表于 2003-11-28 23:50:00

不充氧行不行？

ic5 · 发表于 2003-11-29 00:46:00

个人认为，有离子源存在的情况，充氧的主要意义已经是对真空度的影响了，我想对材料的影响已经不大了！大家说是吗？

Jesus · 发表于 2003-11-29 18:11:00

ic5 的意思是离子源所离化的离子氧已经足够氧化反应的进行了，所以充氧只是对真空室的压强进行控制，从而达到对材料折射率的控制是吧？
但对于高吸氧的材料，如Ti，离子源的氧离子足够反应的吗？
我没试过， ic5做过相关方面的试验吗？

315 · 发表于 2003-11-29 20:15:00

sssssss

schrly · 发表于 2003-11-30 07:02:00

同意 Jesus ！

mxbplayboy · 发表于 2011-5-15 18:13:13

学习中

huang12949 · 发表于 2011-5-17 10:55:02

充氧不足,吸收. 反射曲线OK,透过率低下.这就是影响