2003-9-10 19:34:00 | 显示全部楼层 | 阅读模式
有哪位高手可以告之MgF2在发生喷溅时,是否调节电子束的整幅或是扫描频率可以控制它的喷溅,或是调整电子枪功率或预容时间
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2003-9-11 05:15:00

MgF2工艺参数的调整

减小功率并充分预熔。
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2003-9-15 21:26:00

MgF2工艺参数的调整

是的
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2003-9-18 03:29:00

MgF2工艺参数的调整

怎么我在镀MgF2的时候,没有完全熔化,就开始有沉积了?而且沉积速度还非常快,
大概在10-20埃之间。
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2003-9-18 17:40:00

MgF2工艺参数的调整

MgF2是完全融化蒸发的吗?我觉得和SiO2差不多,基本是升华的吧?
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2003-9-18 21:03:00

MgF2工艺参数的调整

但它是可以融的,不过等它融的时候,剩下的膜料就不多了,
好多都已经升华掉了。所以这个膜料到底该怎么个镀法啊?
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2003-10-13 05:20:00

MgF2工艺参数的调整

就我的蒸镀经验,MgF2都是升华的,我用的是热阻蒸发。
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2003-11-9 06:00:00

MgF2工艺参数的调整

错错错
怎么是升华?
它有变成液态的过程,升华是直接从固态变成气态。物理的常识。
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2003-11-25 02:58:00

MgF2工艺参数的调整

你可以调整电子枪打点波形,来解决。
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2003-11-25 17:39:00

MgF2工艺参数的调整

MgF2怎么会是升华呢?SiO2才是吧。
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2003-12-1 03:21:00

MgF2工艺参数的调整

我认为用钼舟还是最好的选择,先预溶一下更好些
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2003-12-1 04:41:00

MgF2工艺参数的调整

使用光学级单晶mgf肯定是要融化的,如果原料不纯使用试剂级的确实见过不熔的情况
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