光刻

gordon

希望大家谈谈光刻工艺心得体会，初学着。

helpme

光刻有很多种（可按激发源、光束类型、加工原理等多种类型区分），不知大侠对哪个感兴趣，也许大家可以讨论一下。

mahubble

请问国内有用电子束直写作二元光学元件的吗？特征尺寸和峰谷值到多少？

freel

北京半导体所有，做掩模用。用google搜就能找到。

zgzxb

光刻胶在光电产品中的应用及发展简述 （转载）


进入90年代后， 随着微电子信息技术的发展，微电子信息产业愈来愈受到人们的重视， 发展速度之快，几乎超过人们的预料。与其相配套的世界电子化学品平均年增长率也保持在8％以上，是传统化工行业中发展最快的部门之一。预计到2005年，世界电子化学品的市场规模特超过300亿美元。

我国目前生产的电子化学产品，其中比较重要的两大类的发展现状如下：集成电路用电子化学品 它包括四类关键产品：一是超净高纯试剂，BV-皿级试剂已达到国外Semi-c7质量标准，适合于0.8u-1.2um工艺，已形成500吨／年规模的生产能力，MOS级试剂已开发生产出20多个品种，年产量超过4000吨；二是光刻胶，目前我国每年生产100吨左右，其中紫外线负胶已国产化，紫外线正胶可满足2um的工艺要求，电子束胶可提供少量产品，三是特种电子气体，目前少量由国内生产，有30多个品种主要由美国、法国和日本等国家的公司提供；四是环氧模塑料，目前国内已有3000吨/年的生产能力，可满足0.8um工艺要求，现在正在研制0.35um工艺要求的封装材料。

在全球产业界开始大规模向大陆转移产品生产基地的趋势下，在国内业界开始加大对平面显示器领域产品的投资中，发挥已有的优势，沿着产品的产业链上下、左右寻求研发、投资相关产品，应是业界不断努力探讨的方向。本文将重点介绍光刻胶产品在光电产品领域中的应用及其他发展前景。

一、光刻胶产品简介

光刻胶是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射，使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工，近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器的制作。由于光刻胶具有光化学敏感性，可利用其进行光化学反应，经曝光、显影等过程，将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上，然后进行刻蚀、扩散、离子注入等工艺加工，因此刻胶光电信息产业中微细加工技术的关键性基础加工材料。

微细加工技术是人类迄今所能达到的精度最高的加工技术，光刻胶是其重要支撑条件之一，这是由微电子信息产业微细加工的线宽所决定的。

二、国内行业现状

目前，国内光刻胶主要研制生产单位有10多家，生产品种有聚乙烯醇肉桂酸酯、聚肉桂叉丙二酸乙二醇酯聚酯胶、环化橡胶型负胶和重氮萘醌磺酸酯为感光剂主体的紫外正型光刻胶。其中，紫外线负胶已国产化，紫外线正 胶可满足2μm工艺要求，深紫外正负胶、电子束正负胶、X射线正胶可提供少量产品。

光刻胶国产能力约100吨／年。其中，生产规模较大的在北京和苏州，年产量约25吨／年和40 吨／年。据业内专家预测，到2005年，国内微电子用光刻胶用量将超过200吨。

　　三、在平面显示领域中的应用

在平板显示器(FPD)技术中的应用近几年FPD技术发展迅猛，尤其是液晶显示器(LCD)具有低电压、低功耗的优点，应用几乎覆盖所有显示应用领域，已开始取代阴极射线管，成为FPD中的主导产品。

LCD由8大类材料组成，即透明电极玻璃、液晶、取向剂、光刻胶、偏振片、导电胶、粘合剂及清洗剂。其中，光刻胶在FPD加工技术中主要用于制作显示器像素、电极、障壁、荧光粉点阵等。早先，制作FPD的液晶滤色器、像素、电极、障壁、荧光粉点阵等都采用厚膜印刷工艺，即将印有液晶滤色器或像素、电极、障壁、荧光粉点阵的图形先复印在丝网漏模上，然后将所需浆料丝网印刷至玻璃基板上，无论是制液晶滤色器、像素、电极，还是障壁、荧光粉点阵，都需要重复丝印十多次才能达到几十微米至一百微米以上的厚度。由于丝网漏模是由金属细丝网状编织而成，其尺寸愈大，则愈易弯曲或扭曲，精度误差大，制成的液晶滤色器、像素、电极、障壁、荧光粉点阵表面粗糙、边缘不整，图形精度和定位精度差。因此，为了制做大屏幕、高分辨率平板显示器，必须通过采用光刻加工技术来实现。近年来，业界针对平面显示器的快速发展需求，已经研制并规模生产出TN／STN LCD专用正型光刻胶。

在平板显示器中，除LCD之外，近年了PDP(等离子显示器)和EL(电致发光)也发展很快。业界专家预测，在15吋以下的FPD中，液晶技术将受到有机EL、FED(场致发光显示)等技术的严重挑战，但仍可望继续占据主导地位；而在60吋以上大屏幕显示领域，目前仍以PDP优势明显。

　　随着FPD行业的迅速发展，大屏幕显示屏制作要求越来越高。由于在显示大幅面细腻的彩色图像时，需要具备高达数十万的像素，因而要求FPD的加工过程必须运用光刻技术来完成液晶滤色器、像素、电极、障壁、荧光粉点阵等具有高、精、细线条的图形制作，专用光刻胶(或光刻浆料)的研制开发已经迫在眉睫，如用于TFT-LCD加工技术的彩色液晶三色感光剂，用于彩色PDP加工技术的彩色PDP专用光刻浆料(制作电极的黑色光刻银浆和光刻导电银浆、制作障壁的耐喷砂光致抗蚀剂、制作荧光粉点阵的三基色荧光粉光刻浆料）等等。

四、其他应用及发展简述

光刻胶在微电子信息产业中的应用还有很多，如用于印制电路板行业中的光固化阻焊油墨、干膜、湿膜、ED抗蚀剂等等。近年来，电子信息产业的更新换代速度不断加快，新技术、新工艺不断涌现，对光刻胶的需求不论是品种、还是质量和数量都大大增多。可以毫不夸张地说，光刻胶已成为微电子信息产业迅速发展的重要工艺支撑条件之一。

除了上述在平面显示器领域的应用外，光刻胶产品在微细加工技术中的应用将随着高集成度、超高速、超高频集成电路及元器件的开发，集成电路与元器件特征尺寸越来越精细的趋势，其加工尺寸将达到深亚微米、百纳米直至纳米级，应用光刻胶的发展趋势为了适应微电子行业亚微米图形加工技术要求，光刻胶的开发已从普通紫外光发展到紫外光刻胶、深紫外光刻胶、电子束胶、X射线胶、离子束胶等。目前的开发重点是深紫外光刻胶和电子束化学放大抗蚀剂(CAR)。CAR是以聚4-羟基苯乙烯为化学平台，加入光产酸剂、交联剂及其他成分而成。在辐射源曝光时，其光化学增益可达102～108，从而得到高精度图形。

近年来，光刻胶在微电子行业中不断开发出新的用途，如采用光敏性介质材料制作多芯片组件(MCM)。MCM技术可大幅度缩小电子系统体积，减轻其质量，并提高其可靠性。近年来国外在高级军事电子和宇航电子装备中，已广泛地应用MCM技术。

可以预见，发展微电子信息产业及光电产业中不可缺少的基础工艺材料——光刻胶产品在21世纪的应用将更广泛、更深入。

gordon

谢谢。
请教大家光刻胶厂家，光刻设备（包括离心甩胶）厂家

ab209

光刻胶北京化学试剂研究所就有，正胶、负胶都有，以及相关的去膜剂、黏附剂等。光刻机要看产量而定，如果是实验室用，推荐卡尔休斯的光刻机，甩胶台用天津的就好。

silver

天津哪的？能说清楚些吗？

ab209

天津...忘了，礼拜一帮你看看。是一家挺悠久的厂作的。“丰收”类似的牌。

xyqy

        下一代光刻用的新型反射镜
　　一种用于极紫外(EUV)光刻系统的高反射率反射镜已成为各国科学家研究的热点。虽然钼／硅(Mo/Si)或钼/铍(Mo/Be)多层膜堆层反射镜在12nm波长处产生具有高达70％或者更高的反射率，但是对于EUV系统使用的波长10nm～11nm的光源来说其反射率并不高。为此，美国加利福尼亚大学和劳仑斯利弗莫尔国家实验室的研究人员已经研制出由钼/锶(Mo/Sr)多层膜制作的反射镜，它对8nm～12nm波长范围的光能够产生以往从未达到过的最高反射率。

  美国Sandia国家实验室已研制出一种氙射流激光产生等离子体，以作为下一代光刻用的一种EUV光源，其辐射峰位于10?8nm波长处。据介绍,如果在光刻投影系统中使用Mo/Si多层膜反射镜，这将使芯片制作产量不会太高；而使用标准的Mo/Sr多层膜反射镜，会使芯片产量显著提高。较短光波长还能产生更高的成像分辨率，因而能进一步扩大极紫外光刻的用途。

  由于该研究组采用超高真空磁控管溅射技术，因而已生产出高质量的膜层材料，并且已用同步辐射进行了测试。但是，当这种多层膜结构曝露在空气中时，它很容易氧化，因而使反射率严重衰减，这使得它在目前付诸实际应用中受到限制。因此，还需要开发研究稳定性好的覆盖膜层，这种膜层应对使用波长具有高的透过率，并且能起防止氧化的作用。一旦找到一种好的覆盖膜层，Mo/Sr膜层反射镜将会在真空紫外光刻，天文学和真空紫外显微镜中得到广泛应用。(

gordon

ok

lavajydm

我是南京第14研究所的！微电子的！专业就是光刻！！！通信地址：南京1313信箱111分箱 戴先生！！210013（邮码）qq：52453090