20nm节点将投产EUV光刻技术

娆娆

Globalfoundries副总裁Nick Kepler日前在IEEE纳米技术委员会上就Globalfoundries在28nm Gate-first HKMG制程工艺及EUV光刻技术方面的进展和未来计划做了演示说明。Kepler表示，Globalfoundries的gate-first工艺能够提供足够的晶体管门限电压调整空间，其可调范围超过了300mV,完全可以满足产品的需求。他同时还宣称公司在使用Gate-first工艺时并没有出现由于费米栓现象而导致的门限电压失控问题。另外他还指出Globalfoundries的gate-first工艺应对LVT（低门限电压）/SLVT（超低门限电压）产品时的性能是很稳定的。

在他看来， Globalfoundries在28nm节点选择gate-first工艺主要有两个因素，首先是gate-first工艺生产的芯片相比gate-last,相对40nm节点而言产品尺寸微缩程度更高，他表示升级到28nm节点后管子的速度提升了50%，而每次开关时的能耗则减小了50%。另外一个因素是gate-first工艺可以基本保持原有的40nm产品的布线设计，而且28nm节点上gate-first工艺制作的管子在体积上也比gate-last工艺要小10-20%左右.



Kepler的这番话显然和几天前台积电北美副总裁的说法形成了鲜明的对比，台积电是最近才宣布准备在28nm制程节点启用gate-last HKMG工艺的。

另外，Kepler还透露Globalfoundries会紧抓三个技术发展方向：先进光刻技术，材料（新材料及其整合）以及芯片3D封装技术。他表示Globalfoundries公司在20nm制程节点会启用EUV光刻技术投入生产。不过他表示按照公司原来的计划，并没有准备在20nm制程节点启用EUV技术，液浸式光刻技术应该就可以满足其要求，不过公司将EUV技术视为20nm节点制程中降成本的重要手段，而且提前使用EUV还可以为公司积累有关的生产经验，这样到20nm节点以下必须启用EUV技术时便可以有充分准备。