PMMA上镀SiO2与TiO2,工艺条件为何?
请教各位先进若要在PMMA上镀SiO2与TiO2,工艺条件为何? 有试将PMMA基材以70度C的温度加热30分钟,之后先用离子枪做清洁,再进行镀膜(无IAD,制成温度为70度C),结果SiO2及TiO2无法接着在PMMA上。请问是哪制程出了问题? 其它条件呢? ???? 压力:1.5*10^-3Pa,还需要知道哪些条件? 是否有先进做过此制程,小弟还在努力中… 第一层不能用电子枪蒸镀。也不用离子源清洁。 原帖由 HOM2 于 2008-9-18 07:40 发表 static/image/common/back.gif
第一层不能用电子枪蒸镀。也不用离子源清洁。
???那要怎样镀第一层?难道小功率清洁10s也不行? 没有离子辅助膜肯定不牢的. TiO2 Rate=0.5nm/sec APC=1.4E-4Torr
SiO2Rate=2.5nm/secAPC=8.0E-5Torr
IAD USE :(Hall Ion Beam Source)
Anode Voltage180V
Anode Current 6A
FilamentCurrent15A
Etching before coating 3min
Temp:60Delay Time:30min
Material: CR39? MR200? 人家问的是PMMA啊!
先加硬是一个办法。 在压克力板上镀SIO2、TI3O5应该是没有问题的。镀前烘烤与清洁也是没有问题的。真空1.5*10-3也是足够的。膜无法附着、或附着力不强。
可能是:
1、真空计被污染,呈现出假真空。
2、PMMA防滑剂太厚。
3、蒸发SIO2时释放出较多的O2以至真空不够高 必须离子镀,IAD。SiO2Rate=2.5nm/sec,是不是太高了,转架RPM?
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