ditto 发表于 2004-10-23 19:46:00

求助：pecvd法在硅片上长出来的si3n4是单晶还是多晶呀？

<P><INPUT></P>
<P>哭着感谢！！！！！</P>

xawfnh 发表于 2004-11-26 04:19:00

如果不出现什么意外的话，在Si上生长的Si3N4应该是多晶或非晶的。主要原因是Si3N4与Si的失配较大而造成的

ditto 发表于 2004-11-28 04:15:00

thanks a lot...................xawfnh

dada365 发表于 2005-4-4 23:08:00

<P>使用PECVD生长的Si3N4应该是非晶态的。这和失配有关系，但是更要的是温度的问题。PECVD提供的反应能量不足以生成单晶和多晶。</P>

ditto 发表于 2005-4-20 08:15:00

谢谢哦，帮朋友问的。

adamxiong 发表于 2005-4-30 17:08:00

那最后生产成形的晶体是多层的吗？是否要经过多次生长？

snnujj 发表于 2005-12-23 18:16:00

<P>朋友们好，希望能够成立pecvdＱＱ群　我的ＱＱ：４４８７７３７６９　</P>
<P>　　　　　欢迎加入！</P>
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