wgdy 发表于 2003-6-25 00:36:00

光电探测器的响应度

那位朋友能告诉我:影响光电探测器响应度和带宽的因素是什么?结电容具体指的是PIN中的哪部分引起的,耗尽宽度与偏置电压之间有什么关系?谢谢!

xxq0601 发表于 2003-6-26 22:42:00

光电探测器的响应度

hao

djcui1982 发表于 2008-7-13 14:30:04

探测器的响应度Re定义为输出光电流Ip与入射光功率Pin之比值,表示为
Re = Ip/ Pin = qηλ/ hc (1)
式中: q 为电子电荷,η为量子效率,λ为入射光波
长, h 为普朗克常数, c 为真空中光速。
将常数q、h 和c 代入式(1) 得
Re = ηλ/ 1. 24 (2)
可见,器件响应度主要由量子效率和入射光波长决
定。忽略光在器件表面p 区的吸收,则量子效率为
η = (1 - γ) (1 - e- αw) (3)
式中:γ为费涅尔反射系数,α为材料吸收系数, w
为耗尽区宽度。
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