zitong 发表于 2010-5-25 17:51:05

求助：镀膜过程中升温

用ECR-PECVD镀高反膜，是一个多层膜，在镀第二层SiO2的时候刚开始起辉的时候（大约15'内吧）腔室和样品台会很快的升温，一般到120°C左右，平时也就50°C左右，然后温度下降到平时的水平，第三层的时候有时候发生升温现象有时候不发生，不知道怎么回事呢？要说是气体配比不对，就那一瞬间的事，大部分时间视好的，而且第一轮不升温。也调了每层之间的时间间隔，没用。哪位大侠之道帮帮我啊，谢啦。

zitong 发表于 2010-5-26 09:03:09

怎么没有人回复我啊，没有碰到这种状况的吗？

jakzhou 发表于 2010-5-31 04:09:00

shincron

LIUYONGLIN 发表于 2010-6-5 14:19:09

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sunyan 发表于 2010-6-6 20:45:16

不会，会的话早就说了！！！！！！！

526951749 发表于 2010-6-8 09:43:29

ECR国内很少的，你是研究机构的吧，企业很少用它的，比较垃圾，我公司有一台，就没用好过，坏了还不好修，现在干脆停机了

z1206l 发表于 2010-6-29 19:12:32

用CVD镀SIO2有什么好处啊？
为什么不用PVD呢？:sleepy:

fulong927 发表于 2010-7-1 16:39:23

如果温度能在很短时间内升到120度，怀疑是不是测温装置收到了干扰？

冰雨8788 发表于 2010-8-5 21:44:04

这样的机器很少用呵。。。。。。。。。。。

sunmang 发表于 2010-10-22 08:12:58

不会，会的话早就说了
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